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业协议（c）光生空穴被表面缺陷捕获。（d）-（f）是在N2，底有多少O2和空气条件下，表面离子栅调控MoS2器件的电流-时间特性曲线。

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不同气氛下的测试结果表明，被坑放电产生的氧负离子和电子在表面被捕获所形成的局域负电荷，是表面离子栅调控器件性能的主要原因。业协议图二表面离子栅调控MoS2器件的电学性能及不同气氛中器件的电流-时间特性曲线图2 （a）表面离子栅调控MoS2器件的示意图。

底有多少（d）线性坐标下（c）图中单个光电流周期的放大视图。

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